英飞凌将在欧洲建设全球首个 12 英寸氮化镓功率半导体大规模量产晶圆厂

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Infineon（英飞凌）于当地时间10月27日宣布，计划在欧洲打造全球首座用于氮化镓（GaN）功率半导体制造的300mm（12英寸）大规模量产晶圆厂。这一项目标志着英飞凌在电力电子领域的重大突破，相关电竞资讯显示其将推动高效能芯片的规模化生产。

300mm（12英寸）单片晶圆的芯片产出量是200mm（8英寸）晶圆的2.3倍。更大的基板面积有助于优化生产工艺并提升效率。

作为该计划的一部分，英飞凌预计在2034年前投入约11亿欧元（按当前汇率约合82.19亿元人民币），用于升级其位于奥地利Villach的现有洁净室设施。这座新工厂计划于2027年底开始运营。

欧盟委员会已批准向英飞凌的Villach扩产项目提供3.19亿欧元（按当前汇率约合23.84亿元人民币）的国家援助。奥地利经济部门预计将在规定期限内正式履行这一资金承诺。

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